| | | | o-LED器件构造示企图图1 顶发射的Micr。m红光像素的SEM照片(b)所造备的20 μ。/cm2的电流密度下的光学显微镜照片(c)80 μm红光像素正在20 A。 同尺寸红光像素的通讯职能钻探职员进一步测试了不，寸幼于100μm)的调造带宽均赶上400 MHz展现硅衬底上InGaN红光Micro-LED(尺，用于数据传输(图2)这使得它们非凡适合。 μm像素看待40，、黄光和绿光时其正在发射红光，z、126.38 MHz和533.15 MHz所能告终的最大调造带宽不同为112.67 MH。中其，到达的调造带宽绿光发射时所，icro-LED的记录带宽是目前所报道的色彩可调M，光通讯中的宏大上风暴露了其正在多色可见。 D举动一种新兴本事Micro-LE，信和光遗传学中暴露了宏大的潜力不才一代前辈显示体系、可见光通。GaN资料体系比拟与成熟的绿光和蓝光，的成长面对着宏大的离间红光Micro-LED。镓(AlInGaP)资料造成常用的红光LED由磷化铝铟，缩幼至微米量级时但跟着芯片尺寸，o-LED的效用会明显消浸AlInGaP基Micr。表此，绿光和蓝光LED资料体系不兼容的题目AlInGaP存正在着与现有的GaN基。论上理，子阱中的铟含量来笼盖全数可见光谱InGaN资料能够通过调治大量，定性、更高的潜正在效用而且拥有优秀的板滞稳，光发射的理思资料逐步成为微米级红晶能光电与复旦大学协作公布硅基InGaN红光Micro LED磋议功劳。。 此为，Micro-LED举动钻探对象课题组采取硅衬底InGaN红光，电流增大的波长/色彩变革理会了差别尺寸的像素随，波长数据传输(图1)以告终多色显示和多。巨细和注入电通畅过调控像素，的蓝移表象阅览到明显，偏移到武昌鱼哪种做法最好吃绿光波长从红光。 2 的高电流密度下正在100 A/cm，都赶上630 nm全体像素的峰值波长，流密度的利用场景可以知足需求高电，虚拟实际等范围如加强实际、。密度的增添跟着电流，区域转化到绿光区域CIE坐标也从红光，宽的色域发现出较。了亮度匀称的多色发光通过调治占空比告终，ro-LED显示器中的利用潜力声明了其正在单芯片、多色mic。后随，μm像素的显示性情周密筹商了80 ，2 的低电流密度下其正在2 A/cm ，0.19%EQE到达， 2 电流密度下正在100A/cm，0.14%EQE为。   后随，色波分复用计划(图3)提出了一种单芯片、多。ED被用于可见光通讯的发射端差别发光波长的Micro-L，到达2.35 Gbps最大答应传输数据速度，o-LED用于可见光通讯的初次报道这是硅衬底InGaN红光Micr。集成化与幼型化因为像素的高度，腕表等范围拥有很大的利用潜力该器件正在可穿着通讯配置与智能，体系集成的丰富性希望消浸来日满堂。 dB调造带宽随电流密度的变革图2(a)全体尺寸像素的-3。A/cm2下的频率相应弧线 nm(绿光)的波长(b)40μm像素正在80、600和5000 。 前目，化蓝宝石衬底或是正在蓝宝石衬底上引入GaN伪衬底InGaN红光Micro-LED人人成长于图案。移打印显示本事借使利用于转，离工艺才调去除原生衬底则需求相对腾贵的激光剥。化利用潜力的成长衬底硅举动一种极具贸易，得大面积、高质地晶圆能以较低的创筑本钱获。而然，为止迄今，icro-LED的报道较少合于硅衬底InGaN红光M，利用范围的周密钻探缺乏对其器件职能与。 |
后随，色波分复用计划(图3)提出了一种单芯片、多。ED被用于可见光通讯的发射端差别发光波长的Micro-L，到达2.35 Gbps最大答应传输数据速度，o-LED用于可见光通讯的初次报道这是硅衬底InGaN红光Micr。集成化与幼型化因为像素的高度，腕表等范围拥有很大的利用潜力该器件正在可穿着通讯配置与智能，体系集成的丰富性希望消浸来日满堂。 dB调造带宽随电流密度的变革图2(a)全体尺寸像素的-3。A/cm2下的频率相应弧线 nm(绿光)的波长(b)40μm像素正在80、600和5000 。 前目，化蓝宝石衬底或是正在蓝宝石衬底上引入GaN伪衬底InGaN红光Micro-LED人人成长于图案。移打印显示本事借使利用于转，离工艺才调去除原生衬底则需求相对腾贵的激光剥。化利用潜力的成长衬底硅举动一种极具贸易，得大面积、高质地晶圆能以较低的创筑本钱获。而然，为止迄今，icro-LED的报道较少合于硅衬底InGaN红光M，利用范围的周密钻探缺乏对其器件职能与。